Artikel-Nr.:
 497
Bezeichnung:
 MG200Q2YS50
Hersteller:
 Toshiba
Kategorie:
 Transistor Module
Verfügbarkeit:
 Lieferung auf Anfrage Lieferung auf Anfrage
Letzte Aktualisierung:
 23 September 2009
Artikelzustand:
 gebraucht, geprüft
Tech. Daten:
 GTR Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Transistor Module Verkauf (Shop) Deutschland

TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
TYP: MG200Q2YS50

High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Collector-emitter voltage: 1200V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A

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